今年8月舉行，全球IEEE芯片導線技術國際會議，最近幾年來，IMEC提出了延續摩爾定律，打破2nm芯片物理極限的四種方法。

所有這些方法都基于的使用，材料在的基礎上經過討論，專家組最終達成一致，將石墨烯定位為下一代新型半導體材料，并將碳基芯片定義為下一個芯片時代的主流

以石墨烯為代表的碳基二維材料自發現以來，受到了廣泛關注可是，石墨烯的零帶隙半導體特性嚴重限制了其在微電子器件中的應用

針對這種情況，中國科學院上海微系統與信息技術研究所的研究人員于2013年開始研究新型碳基二維半導體材料的制備2014年1月，成功制備了由碳和氮原子組成的類石墨烯蜂窩狀有序半導體C3N單層材料，并發現了該材料經電子注入后產生的鐵磁長程序

從結構圖中可以看出，原來由C原子形成的六邊形都被N原子隔開C3N的成功合成彌補了石墨烯沒有帶隙的缺陷，為碳基納米材料在微電子器件中的應用提供了新的選擇，受到廣泛關注

研究人員最初在2016年認識到AA # 39和AB # 39堆疊C3N的制備在此基礎上，他們和華東師范大學袁慶紅研究員通過近五年的努力，借助實驗技術和理論研究，在雙層C3N的帶隙性質和輸運性質研究領域取得了突破，進一步證明了雙層C3N在納米電子學等領域的重要應用潛力

這項工作證明了通過控制堆垛層錯來實現雙層C3N從半導體到金屬的轉變是可行的。

與本征帶隙為1.23 eV的單層C3N相比，雙層C3N的帶隙大致可分為三種:接近金屬性的AA和AA # 39AB和AB#39，堆疊和帶隙比單層減少了近30%，堆積，帶隙接近單層的雙層摩爾堆積。

上述工作是C3N材料實驗和理論研究的重要突破，為進一步構建新型全碳微電子器件提供了支持。宋運濤表示，他們已經開始設計未來的核聚變電站，并希望在國家的大力支持下在10年內完成示范工程。

可是，與目前成熟的石墨烯相比，C3N的研究起步較晚，在這種材料的基本物理性能研究方面還有許多空白需要填補。。