金博股份在第三代半導體領域的拓展迎來突破性進展。

日前，金博股份發布公告稱，基于公司在半導體領域用高純碳基復合材料的研發應用基礎，公司與北京天科合達半導體股份有限公司于4月8日達成戰略合作意向并簽署了《戰略合作協議》，合作期限自協議簽訂之日起5年。

據介紹，天科合達擁有一個研發中心和三家全資子公司，產業涵蓋碳化硅單晶爐制造，碳化硅單晶生長原料制備和碳化硅單晶襯底制備。

協議顯示，伴隨著第三代半導體行業快速發展，為了加強國內上下游的緊密聯系，雙方出于長遠戰略上的考慮，決定共同攜手，就高純熱場材料，高純保溫材料，高純粉體材料在第三代半導體領域的開發和應用，達成深度的戰略合作伙伴關系。如上所述，DRAM出貨量增長幅度與出貨量增長13倍，主流DRAM價格增長44倍的乘積值(62倍)大致相當。。

具體來看，雙方基于在各自材料及應用領域的技術優勢，深入開展技術交流與聯合研制，共同研發滿足第三代半導體領域應用的熱場材料，保溫材料與粉體材料，以滿足天科合達對相關材料的需求金博股份將按照天科合達提出的技術要求，深入研究開發滿足天科合達要求的高性價比高純熱場，高純保溫，高純粉體材料與產品

同時，天科合達給予金博股份第三代半導體用高純熱場，保溫，粉體材料及產品開發方向，技術要求方面的指導并配合公司進行產品測試與評估，通過應用效果反饋加快公司產品開發與品質改善進度雙方提供新開發相關產品的其他相關技術支持，助力雙方在第三代半導體領域相關產品的合作開發

金博股份表示，目前階段公司的產品主要應用于光伏行業晶硅制造熱場系統本次戰略框架協議的簽署，有利于公司產品在第三代半導體領域的推廣和應用