,眾所周知,目前 ASML 是全世界當之無愧的光刻機巨頭,技術實力領先日本一眾廠商,甚至此前總市值超 2800 億歐元成為總市值最高的歐洲科技企業。
CNBC 報道稱,這家瘋狂的荷蘭公司現在正在制造一種可以重新定義電子產品的機器。公司認為,到2025年,年營收將達到240億至300億歐元,毛利率將高達54%至56%。
據稱,ASML 正在開發一種新版本的極紫外光刻機,將成為世界上最先進的芯片制造機器新機器可以讓芯片制造商研制出更復雜的芯片,為下一代電子設備提供動力
今年 7 月,英特爾首席執行官 Pat Gelsinger 表示,該公司有望成為 ASML 新機器的第一個接收者,該機器被稱為 High NA。
EUV 機器如何工作
EUV 光刻機可將異常狹窄的光束照射到經過光刻膠化學處理過的硅晶圓上在光線接觸到化學物質的地方,晶圓片上就會產生復雜的圖案,這些圖案事則是由設計者事先精心規劃的這個過程被稱為光刻技術,它就是目前集成電路上晶體管的出處
晶體管是現代電子產品基本組成部分之一,從而使電流能夠在電路周圍流動一般來說,芯片上的晶體管越多,芯片的性能就越強,效率也就越高
本站了解到,并非 ASML 所有光刻機都支持 EUV 功能EUV 是該公司最近幾年為大批量生產引入的最新技術,而DUV仍然是半導體行業的主力需求
塔夫斯大學弗萊徹法律與外交學院助理教授克里斯米勒 表示,芯片制造商希望在光刻技術中盡可能使用最窄的光波,這樣他們就可以在每塊硅晶圓片上實現更多的晶體管
開發新機器
與 ASML 目前的 EUV 光刻機相比,高 NA 版本將更大,更昂貴且更復雜。這一預測明顯高于此前150-240億歐元的預測。
它包括一種新穎的光學設計,需要明顯更快的階段,ASML 發言人告訴 CNBC他們補充說,高 NA 機器具有更高的分辨率,這將使芯片面積縮小 1.7 倍,芯片密度增加 2.9 倍
有了這個平臺,客戶將大大化簡制造步驟,發言人繼續說道這將成為他們引入該技術的理由該平臺可顯著降低缺陷,成本和周期
從目前已知的信息來,每臺 EUV 光刻機都采用了超過 100000 個零組件,它們來著全球各大尖端科技廠商直觀一點,它們大概需要 40 個貨運集裝箱或四架大型噴氣式飛機來運輸據報道,每一套光刻機的成本約為 1.4 億美元
他們并沒有進行限制,米勒補充道,該公司的新型光刻機將支持在硅晶圓上進行更具體的蝕刻。
第一臺高 NA 機器仍在開發中,預計從 2023 年開始提供先行體驗,以便芯片制造商可以更快地開始驗證并學會如何使用然后,客戶可以在 2024 年和 2025 年將以此進行自己的研發工作從 2025 年開始,它們很可能用于大批量制造
今年 7 月,英特爾首席執行官 Pat Gelsinger 表示,該公司有望成為 ASML 高 NA 機器的第一個接收者。
我敢打賭,他為這個首發付出了很多利益,因為他肯定不是唯一一個想先拿到這臺機器的人,米勒說。
英特爾銷售和營銷副總裁 Maurits Tichelman 對此表示:高 NA EUV 是 EUV 路線圖上的下一個重大技術變革,我們已準備好接收業內首款量產的高 NA EUV 光刻機,并爭取在 2025 年推出新產品不過他拒絕透露英特爾訂購了多少臺新機器。
Tichelman 說,新的高 NA EUV 工具從 0.33 光圈鏡頭轉變為更細膩的 0.55 光圈,從而實現了更高分辨率的操作。
根據消息顯示,更高的孔徑可使得機器內部產生更寬的 EUV 光束,然后撞擊晶圓時產生的強度就越大,從而提高蝕刻線條的精確度這反過來又可以實現更精細的形狀和更小的間距,從而增加晶體管密度
Gartner 半導體分析師 Alan Priestley 稱,ASML 的新機器將允許芯片制造商制造 3nm 以下的芯片目前世界上最先進的芯片都在 3nm 及以上
Priestley 補充說,高 NA 機器將耗資約 3 億美元,是現有 EUV 機器的兩倍,并且它們還需要更復雜的新鏡頭技術。
芯片是如何制造的
芯片通常是由一個晶圓片上的 100—150 個硅層組成,只有最復雜的設計才會需要 EUV 機器,目前大部分芯片都可以用 DUV 機器制造當然,ASML 也制造其他工具
正如上面提到的,這是全球頂尖供應鏈合作的產物,往往每一臺 EUV 機器都需要數年時間才能完成,而 ASML 一年只能出貨這么多從財務數據來看,它去年僅售出了 31 部,而且這么多年總共只生產了 100 部左右
埃森哲 全球半導體主管 Syed Alam 表示:與傳統的 EUV 機器相比,High NA 機器可提供更大的透鏡,也就能夠刻出更精細的圖案,從而能夠高效地量產更強的芯片。上個月,ASML表示,預計未來十年將出現銷售熱潮。
他透露:芯片制造商不得不依賴雙重或三重模式,這非常耗時使用高 NA EUV 機器,他們能夠在一層上直接完成這些功能,從而實現優異的周期和工藝靈活性。
Alam 表示,芯片制造商也因此必須在更好的性能和更高的成本之間進行權衡這對于高分辨率的 EUV 機器來說尤其如此,因為大鏡頭也就意味著更高的采購成本和維護成本。
在上月的 ITF 大會上,半導體行業大腦 imec公布的藍圖顯示,2025 年后晶體管進入埃米尺度,其中 2025 對應 A14,2027 年為 A10,2029 年為 A7。
當時 imec 就表示,除了新晶體管結構,2D 材料,還有很關鍵的一環就是 EUV 光刻機其透露,0.55NA 的下代 EUV 光刻機一號試做機會在 2023 年由 ASML 提供給 imec,2026 年量產
根據消息顯示,相較于當前 0.33NA 的 EUV 光刻機,0.55NA 有了革命性進步,它能允許蝕刻更高分辨率的圖案。。
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