,外媒ComputerBase 今天分享了三星電子在2021 三星技術日當天公開的未來發展藍圖和存儲技術革新的內容。
圖自三星半導體
外媒稱,三星在準備 DDR5 技術的后繼產品DDR6,據稱該技術的速度和帶寬是 DDR5 的兩倍。
DDR6 標準還沒有被 JEDEC 正式確定,默認的規格應該在 DDR6—12800 左右三星證實,該技術尚處于早期開發階段,因此公司共享的數據可能會發生變化外媒稱,DDR6 超頻內存有望達到 DDR6—17000
據稱,DDR6 內存每個模塊將擁有 4 個通道,是 DDR5 的兩倍,bank 數量將達到 64 個,是 DDR4 的 4 倍。
顯存方面,三星現在正在開發 GDDR6 + 標準,提供高達 24 Gbps 的速度,高于當前 GDDR6 標準提供的 18 Gbps,使用三星的 1znm 工藝制造此外,GDDR7 標準也在路線圖中,但沒有更多細節
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